2023年3月31日,日本政府通過經濟產業省的官方網站公布了對根據《外彙和外貿管理法》所製定的《外彙令》附表及《出口貿易管理令》附表一的修改方案,並自2023年3月31日至2023年4月29日公開向社會征求意見,在經過2個月過渡期後擬於2023年7月正式實施。
日本上述做法顯示,繼美國、荷蘭等國家先後對本國的半導體技術及相關產品實施出口管製後,同為“瓦森納協定”chengyuanguoderibenjinriyejiarudaolezheyizhenying,niduibenguodebandaotizhizaoshebeishishichukouguanzhi。jinguanribenzhengfushengchengbencizhenduibandaotizhizaoshebeishishichukouguanzhishizai“國guo際ji安an全quan保bao障zhang環huan境jing日ri益yi嚴yan峻jun,為wei防fang止zhi轉zhuan為wei軍jun事shi用yong途tu,在zai充chong實shi瓦wa森sen納na安an排pai的de同tong時shi,綜zong合he考kao慮lv涉she及ji半ban導dao體ti製zhi造zao設she備bei相xiang關guan國guo家jia的de最zui新xin出chu口kou管guan理li動dong向xiang”debeijinghemudexiazuochude,danjianyuzhongguodaluqiyeshiribenqiyezaicilingyudediyidachukoumudeguo,cijuwuyijiangduizhongguodaludexiangguanqiyezaochengzhongyaoyingxiang。benwennijiucizuoyifenxi,yigongcankao。
一、半導體製造設備出口管製的基本情況
本次追加納入出口限製的半導體製造設備共有6大類23種,涉及半導體的清潔、光刻、蝕刻以及檢測等(具體內容詳見文末的附表)。除了麵向“瓦森納安排”的42個“友好”國家和地區外,針對其餘國家和地區出口上述半導體製造設備均需要經濟產業大臣的個案審批許可。鑒於中國並未加入“瓦森納協定”,因此,此舉也意味著日本政府本次實施的半導體製造設備出口管製將顯著增加中國企業從日本獲取半導體製造設備的難度。
二、《經安保法》出台後的必然選擇
筆者去年曾在《日本〈經安保法〉對中國企業的啟示》一文中介紹日本政府出台《關於經濟安全保障法製的建議》(日文名稱:「経済安全保障法製に関する提言」,以下簡稱“《經安保法》”)的原因時指出:“地緣政治因素造成的地區緊張局勢在升級,在世界各國,因服務器被攻擊所導致的經濟混亂時有發生,加之人工智能、liangzidengkenengyingxiangjingjianquandexianjinkejidefazhan,shideguojiajianweiraokejihechuangxinsuozhankaidebaquanzhengduoriqujilie。zhexiedoushidexiangguanguojiabuduantuijinhejiaqiangduibenguoxiangguanchanyejichu、xianjinzhongyaokejiyanfadezhichi,fangzhiminganxinxiliuchujichukouguanzhi。erzhongsuozhouzhi,oumeiguojiashishangshuyixiliejucuodexianxingzhe,zuoweifadaguojiaderibencicitongguochutai《經安保法》,除了維護本國經濟安全的現實需要外,也許在一定程度上也有方便日後緊隨盟友政策步伐的政治性考量。”本次,日本政府對半導體製造設備實施的出口管製恰恰印證了上述推測。
2022年5月中旬,日本國會通過《經安保法》,計劃從2023年起分階段實施。該法主要由4部分構成,即強化特定重要物資供應鏈、對重要基礎設施設備實施事前審查、尖端技術研發加深官民合作、對涉及威脅國家安全的專利非公開化。其中,所謂“特定重要物資”主要是指稀土等重要礦產以及半導體、蓄電池、醫藥品等,日本政府今後將根據該法對相關產業進行財政支援。而根據該法的實施安排,強化對特定重要物資的供應鏈管理已於2023年3月實施。具體來說,該製度主要包括如下內容:
v 由日本政府確定哪些屬於應確保穩定供給的特定物資;
l “應確保穩定供給的特定物資”指當國民生存所需且必不可少,或者國民生
活、經濟活動所依賴的重要物資(包括項目)或其生產所需的原材料、零部件、設備、jiqihuozhuangzhiyilaiwaibu,huozhekenengyilaiwaibushi,weifangzhiyinwaibuxingweieryousunyuguojiajiguominanquandeshijiandefasheng,tongguowanshangaiwuzihuoqishengchansuoxudeyuancailiaodengdeshengchanjichu,shiqigongyingqudaoduoyanghua,yinru、開發或改良儲備、生(sheng)產(chan)技(ji)術(shu)或(huo)采(cai)取(qu)其(qi)他(ta)有(you)助(zhu)於(yu)強(qiang)化(hua)該(gai)物(wu)資(zi)供(gong)應(ying)鏈(lian)的(de)措(cuo)施(shi)或(huo)合(he)理(li)化(hua)其(qi)使(shi)用(yong),開(kai)發(fa)替(ti)代(dai)物(wu)資(zi)及(ji)其(qi)他(ta)方(fang)式(shi),被(bei)認(ren)為(wei)特(te)別(bie)對(dui)該(gai)等(deng)物(wu)資(zi)等(deng)的(de)穩(wen)定(ding)供(gong)給(gei)所(suo)需(xu)時(shi),而(er)通(tong)過(guo)政(zheng)令(ling)等(deng)規(gui)定(ding)為(wei)“特定重要物資”的物資。
v 由負責的大臣組織製定確保重要物資或其原材料等穩定供給的行動方針;
l 私營企業製定有關確保重要物資等穩定供給的計劃,該計劃一旦獲得負責大臣的批準,該私營企業可在信用保險、融資等方麵獲得政府的支持,比如獲得金融機構的貸款利息補貼、兩級貸款(two step loan)等。
l 當前述措施難以保證特定物資的穩定供給時,負責大臣將確定“需采取特別對策的特定重要物資”並采取儲備等必要措施。
v 通過加強反壟斷、利用關稅稅率等手段完善特定重要物資等的市場環境;
v 為掌握供應鏈的情況,必要時,負責大臣可對從事特定物資的生產、進口、銷售等的主體進行調查。
由此可見,早在《經安保法》zhidingshi,qianghuaduibaokuobandaotizhizaoshebeidengzhongyaowuzidegonggeibaozhanghechukouguanzhiyizairibenzhengfudejihuazhizhong,bencizhenduibandaotizhizaoshebeishishichukouguanzhi,bujinyingxiangbaokuozhongguodaluqiyezaineidewaibuqiye,yebiranhuiduiribenbenguoxiangguanqiyedechanpinchukouchanshengyingxiang,erribenzhengfuweilejiangdigaiyingxiangkenenggeibenguoqiyezaochengdesunshi,yetongguoxinyongbaoxian、融資等方麵的措施降低了企業的部分成本和風險。
三、 違反出口管製的處罰
根據日本《外貿法》等deng的de規gui定ding,未wei經jing批pi準zhun出chu口kou管guan製zhi貨huo物wu或huo提ti供gong技ji術shu時shi,出chu口kou方fang或huo技ji術shu提ti供gong方fang除chu了le可ke能neng承cheng擔dan刑xing事shi和he行xing政zheng責ze任ren外wai,還hai有you可ke能neng麵mian臨lin被bei警jing告gao和he被bei要yao求qiu提ti交jiao事shi情qing經jing過guo、報告書等行政指導。根據《出口貿易管理令》第6條及《進出口交易法》第4tiaodeguiding,duiyuyifaweijingjingjichanyedachenxukeercongshihuowuchukouhuojishutigongderibenchukoufanghuojishutigongzhe,jingjichanyedachenyouquanduiqijinxingjinggao,qingjieyanzhongshijiangyouquanjinzhiqizaiyidingshiqineixiangtedingdiquchukouxiangguanhuowuhuotigongjishu。dangran,ruguochukoufanghuojishutigongfangzhudongxiangjingjichanyeshengbaogaode,yekenengbeizhuoqingjianqingchufa。jutilaishuo,chukoufanghuojishutigongfangweifanribenchukouguanzhishikenengmianlindefazeruxiabiaosuoshi:

四、對中國企業的影響
jioumeiguojiafenfenyiweihuchanyeliananquanweimingchutaimaoyiguanzhicuoshizhihou,ribencicizhenduibandaotizhizaoshebeidechukoushishichukouguanzhi,nitongguolifadexingshijinyibuqianghuaguojiagongyingliananquan,fangzhihexin、關(guan)鍵(jian)技(ji)術(shu)外(wai)流(liu),以(yi)維(wei)護(hu)本(ben)國(guo)的(de)國(guo)家(jia)安(an)全(quan)和(he)利(li)益(yi)。在(zai)此(ci)背(bei)景(jing)下(xia),該(gai)做(zuo)法(fa)會(hui)對(dui)中(zhong)國(guo)企(qi)業(ye)產(chan)生(sheng)何(he)種(zhong)影(ying)響(xiang)值(zhi)得(de)引(yin)起(qi)我(wo)們(men)的(de)關(guan)注(zhu)。對(dui)此(ci),筆(bi)者(zhe)根(gen)據(ju)多(duo)年(nian)的(de)法(fa)律(lv)服(fu)務(wu)經(jing)驗(yan),總(zong)結(jie)出(chu)如(ru)下(xia)幾(ji)個(ge)方(fang)麵(mian):
Ø 供應鏈重組
根據日本政府2021年6月公布的《經濟財政運營和改革基本方針2021》中所述,重點納入的項目在於半導體、稀土等重要礦產、電池、醫藥品,以及電力、天然氣、石油、通信、航空、鐵路、造船等以海上物流、醫(yi)療(liao)為(wei)代(dai)表(biao)的(de)重(zhong)要(yao)行(xing)業(ye)。因(yin)此(ci),隨(sui)著(zhe)日(ri)本(ben)企(qi)業(ye)對(dui)半(ban)導(dao)體(ti)製(zhi)造(zao)設(she)備(bei)的(de)出(chu)口(kou)管(guan)製(zhi),可(ke)以(yi)預(yu)見(jian)的(de)是(shi),未(wei)來(lai),上(shang)述(shu)領(ling)域(yu)的(de)產(chan)品(pin)和(he)技(ji)術(shu)的(de)出(chu)口(kou)都(dou)有(you)可(ke)能(neng)受(shou)到(dao)貿(mao)易(yi)管(guan)製(zhi)。這(zhe)意(yi)味(wei)著(zhe)處(chu)於(yu)相(xiang)關(guan)供(gong)應(ying)鏈(lian)不(bu)同(tong)環(huan)節(jie)的(de)企(qi)業(ye)不(bu)得(de)不(bu)需(xu)要(yao)根(gen)據(ju)具(ju)體(ti)情(qing)況(kuang)進(jin)行(xing)重(zhong)組(zu)或(huo)架(jia)構(gou)調(tiao)整(zheng)。這(zhe)裏(li)不(bu)僅(jin)涉(she)及(ji)相(xiang)關(guan)的(de)日(ri)資(zi)企(qi)業(ye),也(ye)會(hui)涉(she)及(ji)中(zhong)資(zi)企(qi)業(ye)。而(er)伴(ban)隨(sui)企(qi)業(ye)的(de)重(zhong)組(zu)或(huo)架(jia)構(gou)調(tiao)整(zheng),可(ke)能(neng)會(hui)產(chan)生(sheng)勞(lao)動(dong)用(yong)工(gong)、稅務、環境保護等一係列問題。對此,建議相關企業有所預判和準備。
Ø 可替代方案的選擇
suizheribenqiyeduibandaotizhizaoshebeidechukouguanzhi,duiyuyiwangyuribenqiyejiuxiangguanchanpinhuofuwucunzaimaoyiwanglaidezhongguoqiyeeryan,yifangmian,ruguoxiangguanchanpinhejishucunzaiqitadeketidailaiyuan,weilezuidachengdujiangdixiangguanchanpinhejishuduiqiyeshengchanzaochengdefumianyingxiang,xuyaojinkenengjishiditongxiangguanketidaizhutijianlilianjie,weiyuchoumou;另(ling)一(yi)方(fang)麵(mian),如(ru)果(guo)暫(zan)時(shi)無(wu)法(fa)找(zhao)到(dao)合(he)適(shi)的(de)可(ke)替(ti)代(dai)主(zhu)體(ti),就(jiu)要(yao)做(zuo)到(dao)及(ji)時(shi)關(guan)注(zhu)和(he)了(le)解(jie)日(ri)本(ben)政(zheng)府(fu)對(dui)於(yu)相(xiang)關(guan)產(chan)品(pin)和(he)技(ji)術(shu)成(cheng)為(wei)出(chu)口(kou)管(guan)製(zhi)對(dui)象(xiang)的(de)認(ren)定(ding)規(gui)則(ze)和(he)申(shen)請(qing)流(liu)程(cheng),以(yi)及(ji)相(xiang)關(guan)管(guan)製(zhi)政(zheng)策(ce)的(de)實(shi)施(shi)情(qing)況(kuang),在(zai)合(he)法(fa)、合規、合理的範圍內爭取最大的權益。無論何種方案的選擇,都無疑將大大增加中國企業的成本,對此,建議相關企業需要有所考量。
Ø 不確定性引致的負麵後果
日ri本ben政zheng府fu對dui半ban導dao體ti製zhi造zao設she備bei的de出chu口kou管guan製zhi,一yi方fang麵mian將jiang影ying響xiang中zhong日ri企qi業ye之zhi間jian的de貿mao易yi往wang來lai,無wu疑yi將jiang給gei本ben已yi逐zhu年nian下xia降jiang的de中zhong日ri貿mao易yi額e注zhu入ru更geng多duo的de不bu確que定ding性xing。不bu僅jin如ru此ci,除chu了le在zai國guo家jia層ceng麵mian發fa生sheng的de貿mao易yi爭zheng端duan,比bi如ru中zhong國guo政zheng府fu已yi就jiu日ri本ben政zheng府fu對dui半ban導dao體ti製zhi造zao設she備bei的de出chu口kou管guan製zhi向xiang世shi貿mao組zu織zhi提ti起qi訴su訟song,隨sui著zhe貿mao易yi管guan製zhi而er來lai的de中zhong日ri企qi業ye之zhi間jian的de貿mao易yi爭zheng端duan可ke能neng也ye會hui增zeng加jia,從cong而er影ying響xiang中zhong國guo企qi業ye對dui外wai貿mao易yi的de正zheng常chang開kai展zhan。對dui此ci,相xiang關guan企qi業ye日ri後hou在zai開kai展zhan對dui日ri貿mao易yi前qian須xu作zuo好hao充chong分fen的de必bi要yao準zhun備bei,以yi應ying對dui可ke能neng發fa生sheng的de爭zheng議yi。
結語
中(zhong)國(guo)是(shi)世(shi)界(jie)最(zui)大(da)的(de)半(ban)導(dao)體(ti)市(shi)場(chang),也(ye)是(shi)日(ri)本(ben)半(ban)導(dao)體(ti)製(zhi)造(zao)設(she)備(bei)的(de)最(zui)大(da)出(chu)口(kou)目(mu)的(de)地(di),中(zhong)日(ri)兩(liang)國(guo)業(ye)界(jie)長(chang)期(qi)形(xing)成(cheng)了(le)產(chan)業(ye)鏈(lian)上(shang)下(xia)遊(you)緊(jin)密(mi)融(rong)合(he)關(guan)係(xi)。麵(mian)對(dui)日(ri)本(ben)政(zheng)府(fu)針(zhen)對(dui)半(ban)導(dao)體(ti)製(zhi)造(zao)設(she)備(bei)的(de)出(chu)口(kou)管(guan)製(zhi)措(cuo)施(shi),預(yu)計(ji)中(zhong)國(guo)政(zheng)府(fu)也(ye)將(jiang)相(xiang)應(ying)采(cai)取(qu)反(fan)製(zhi)措(cuo)施(shi)加(jia)以(yi)應(ying)對(dui)。在(zai)經(jing)濟(ji)全(quan)球(qiu)化(hua)的(de)大(da)趨(qu)勢(shi)下(xia),貿(mao)易(yi)戰(zhan)沒(mei)有(you)贏(ying)家(jia)。而(er)受(shou)此(ci)影(ying)響(xiang)下(xia)的(de)兩(liang)國(guo)企(qi)業(ye)該(gai)如(ru)何(he)應(ying)對(dui)從(cong)而(er)將(jiang)影(ying)響(xiang)降(jiang)到(dao)最(zui)低(di),將(jiang)是(shi)相(xiang)關(guan)企(qi)業(ye)今(jin)後(hou)較(jiao)長(chang)時(shi)間(jian)內(nei)關(guan)注(zhu)的(de)重(zhong)點(dian)。我(wo)們(men)也(ye)將(jiang)及(ji)時(shi)關(guan)注(zhu)並(bing)發(fa)布(bu)相(xiang)關(guan)動(dong)向(xiang),以(yi)期(qi)為(wei)相(xiang)關(guan)企(qi)業(ye)的(de)上(shang)述(shu)目(mu)的(de)的(de)實(shi)現(xian)聊(liao)盡(jin)綿(mian)薄(bo)之(zhi)力(li)。
附表:
類別 | 品名 |
熱處理相關(1類) | 在0.01Pa以下的真空狀態下,對銅(Cu)、鈷(Co)、鎢(W)(任何一種元素)進行回流(Reflow)的“退火設備(Anneal)”。 |
檢測設備(1類) | EUV曝光方向的光掩膜版(Mask Blanks)的檢測設備、或者“帶有線路的掩膜”的檢測設備。 |
曝光相關(4類) | 1.用於EUV曝光的護膜(Pellicle)。 2.用於EUV曝光的護膜(Pellicle)的生產設備。 3.用於EUV曝光的光刻膠塗覆、顯影設備(Coater Developer)。 4.用於處理晶圓的步進重複式、步進掃描式光刻機設備(光源波長為193納米以上、且光源波長乘以0.25再除以數值孔徑得到的數值為45及以下)。 |
幹法清洗設備、濕法清洗設備(3類) | 1. 在0.01Pa以下的真空狀態下,除去高分子殘渣、氧化銅膜,形成銅膜的設備。 2. 在除去晶圓表麵氧化膜的前道處理工序中所使用的、用於幹法蝕刻(Dry Etch)的多反應腔(Multi-chamber)設備。 3. 單片式濕法清洗設備(在晶圓表麵性質改變後,進行幹燥)。 |
蝕刻(3類) | 1.屬於向性蝕刻(Isotropic Etching)設備,且矽鍺(SiGe)和矽(Si)的選擇比為100以上的設備;屬於異向性(Anisotropic Etching)刻蝕設備,且含高頻脈衝輸出電源,以及含有切換時間不足300m秒的高速切換閥和靜電吸盤(Chuck)的設備。 2.濕法蝕刻設備,且矽鍺(SiGe)和矽(Si)的蝕刻選擇比為100以上。 3. 為異向性蝕刻設備,且蝕刻介電材料的蝕刻尺寸而言,蝕刻深度與蝕刻寬度的比率大於30倍、而且蝕刻幅寬度低於100納米。含有高速脈衝輸出電源、切換時間不足300m秒的高速切換閥的設備。 |
成膜設備(11類) | 1. 如下所示的各類成膜設備: 利用電鍍形成鈷(Co)膜的設備。 利用自下而上(Bottom-up)成膜技術,填充鈷(Co)或者鎢(W)時,填充的金屬的空隙、或者接縫的最大尺寸為3納米以下的CVD設備。 在同一個腔體(Chamber)內進行多道工序,形成金屬接觸層(膜)的設備、氫(或者含氫、氮、氨混合物)等離子設備、在維持晶圓溫度為100度~500度的同時、利用有機化合物形成鎢(W)膜的設備。 可保持氣壓為0.01Pa以下真空狀態(或者惰性環境)的、含多個腔體的、可處理多個工序的成膜設備,以及下麵的所有工序中所使用的金屬接觸層成膜設備:
(1)在維持晶圓溫度為20度~500度的同時,利用有機金屬化合物,形成氮化鈦層膜或者碳化鎢層膜的工藝。 (2)在保持晶圓溫度低於500度的同時,在壓力為0.1333Pa~13.33Pa的範圍內,利用濺射工藝,形成鈷(Co)層膜的工藝。 (3)在維持晶圓溫度為20度~500度的同時,在壓力為133.3Pa~13.33kPa的範圍內,利用有機金屬化合物,形成鈷(Co)層膜的工藝。 利用以下所有工藝形成銅線路的設備。 (1)在保持晶圓溫度為20度~500度的同時,在壓力為133.3Pa~13.33kPa的範圍內,利用有機金屬化合物,形成鈷(Co)層膜、或者釕(Ru)層膜的工藝。 (2)在保持晶圓溫度低於500度的同時,在壓力為0.1333Pa~13.33Pa的範圍內,利用PVD技術,形成銅(Cu)層膜的工藝。 利用金屬有機化合物,有選擇性地形成阻障層(Barrier)或者Liner的ALD設備。 在保持晶圓溫度低於500度的同時,為了使絕緣膜和絕緣膜之間不產生空隙(空隙的寬度和深度比超過五倍,且空隙寬度為40納米以下),而填充鎢(W)或者鈷(Co)的ALD設備。 2. 在壓力為0.01Pa以下的真空狀態下(或者惰性環境下),不采用阻障層(Barrier),有選擇性地生長鎢(W)或者鉬(Mo)的成膜設備 3. 在保持晶圓溫度為20度~500度的同時,利用有機金屬化合物,形成釕(Ru)膜的設備。 4. “空間原子層沉積設備(僅限於支持與旋轉軸晶圓的設備)”,以下皆屬於限製範圍。
(1)利用等離子,形成原子層膜。 (2)帶等離子源。 (3)具有將等離子體封閉在等離子照射區域的“等離子屏蔽體(Plasma Shield)”或相關技術手法。 5. 可在400度~650度溫度下成膜的設備,或者利用其他空間(與晶圓不在同一空間)內產生的自由基(Radical)產生化學反應,從而形成薄膜的設備,以下所有可形成矽(Si)或碳(C)膜的設備屬於限製出口範圍: (1)相對介電常數(Relative Permittivity)低於5.3。 (2)對水平方向孔徑部分尺寸不滿70納米的線路而言,其與線路深度的比超過五倍。 (3)線路的線距(Pitch)為100納米以下。 6. 利用離子束(Ion Beam)蒸鍍或者物理氣相生長法(PVD)工藝,形成多層反射膜(用於極紫外集成電路製造設備的掩膜)的設備。 7. 用於矽(Si)或者矽鍺(SiGe)(包括添加了碳的材料)外延生長的以下所有設備屬於管控範圍。 (1)擁有多個腔體,在多個工序之間,可以保持0.01Pa以下的真空狀態(或者在水和氧的分壓低於0.01Pa的惰性環境)的設備。 (2)用於半導體前段製程,帶有為淨化晶圓表麵而設計的腔體的設備。 (3)外延生長的工作溫度在685度以下的設備。 8. 可利用等離子技術,形成厚度超過100納米、而且應力低於450MPa的碳硬掩膜(Carbon Hard Mask)的設備。 9. 可利用原子層沉積法或者化學氣相法,形成鎢(W)膜(僅限每立方厘米內氟原子數量低於1019個)的設備。 10.為了不在金屬線路之間(僅限寬度不足25納米、且深度大於50納米)產生間隙,利用等離子形成相對介電常數(Relative Permittivity)低於3.3的低介電層膜的等離子體成膜設備。 11. 在0.01Pa以下的真空狀態下工作的退火設備,通過再回流(Reflow)銅(Cu)、鈷(Co)、鎢(W),使銅線路的空隙、接縫最小化,或者使其消失。 |
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